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安芯美注重于技術(shù)創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù),現(xiàn)擁有國(guó)家專利95項(xiàng),其中發(fā)明專利91項(xiàng),實(shí)用新型3項(xiàng),外觀設(shè)計(jì)1項(xiàng),專利涵蓋襯底、外延、芯片、封裝、應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。


專利號(hào) 專利名稱 專利種類
202030081138.5  便攜式殺菌餐具盒 外觀設(shè)計(jì)
201922085174.3  殺菌除味器 實(shí)用新型
201911105889.9  一種LED封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明
201910535189.7  一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 發(fā)明
201910535164.7 一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法  發(fā)明
201910400487.5  一種隔離槽的制造方法及其應(yīng)用 發(fā)明
201811510747.6  一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法 發(fā)明
201811510723.0 發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法 發(fā)明
201811424969.6  一種發(fā)光二極體外延結(jié)構(gòu)的制造方法及其應(yīng)用 發(fā)明
201811416176.X 一種半導(dǎo)體元件的切割方法及制造方法 發(fā)明
201811415026.7  一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔體的清潔方法 發(fā)明
201811397338.X 一種氮化鋁外延層生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201811180931.9  一種LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法   發(fā)明
201810312186.2  一種提高發(fā)光面占比的高壓LED芯片制備方法 發(fā)明
201710828420.2  一種LED芯片光功率的測(cè)試方法 發(fā)明
201710756746.9  一種提升高壓LED芯片發(fā)光效率的方法 發(fā)明
201710705340.8  優(yōu)化紫外LED發(fā)光層的外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201710704823.6  紫光LED外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201710704820.2  提高紫光LED發(fā)光效率的外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201710704794.3  紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201710388108.6  一種深紫外LED芯片的制造方法 發(fā)明
201710380627.8   一種LED金屬電極結(jié)構(gòu)及其制備方法   發(fā)明
201710354841.6  一種用于LED芯片減薄過(guò)程中銅拋光液供給設(shè)備 發(fā)明
201710137877.9  一種GaN基HEMT器件外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)工藝 發(fā)明
201610890526.0  一種測(cè)試分選分色的方法 發(fā)明
201610418150.3  一種高亮度青光LED外延結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)工藝 發(fā)明
201610373575.7  一種紫外LED有源區(qū)多量子阱的生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201510297482.6  一種新型高亮PSS的制備方法 發(fā)明
201510278486.X 一種反射電極制程工藝 發(fā)明
201510230317.9  多規(guī)格光刻版清洗治具 發(fā)明
201510230274.4 顯微鏡載片臺(tái) 發(fā)明
201510229945.5  高溫石英加熱槽的制作方法 發(fā)明
201510229939.X 清除LED芯片光刻標(biāo)記點(diǎn)殘金的方法 發(fā)明
201510222207.8  一種LED報(bào)廢片襯底恢復(fù)再利用的方法 發(fā)明
201510056425.9  一種改善GaN基LED芯片電流擴(kuò)展的外延方法 發(fā)明
201510035749.4  一種適合高電流密度的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410834957.6  一種LED芯片多功能自動(dòng)尋邊器 發(fā)明
201410834914.8 一種降低LED電極耗Au量的蒸鍍機(jī) 發(fā)明
201410828370.4  一種LED剝金機(jī)載片盤 發(fā)明
201410828355.X 一種LED清洗籃墊塊 發(fā)明
201410828343.7  一種等離子清洗設(shè)備 發(fā)明
201410827750.6  一種多尺寸LED芯片兼容石英清洗提籃 發(fā)明
201410091144.2  一種提高氮化鎵晶體質(zhì)量的復(fù)合成核層的生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410091099.0  一種GaN基外延層表面粗化的LED芯片制作方法 發(fā)明
201410090745.1  一種以藍(lán)寶石襯底為基板的GaN基LED多階緩沖層生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410090733.9  一種GaN量子阱結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410090720.1  一種Mg摻雜P型GaN外延生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410090582.7  一種提高GaN基LED發(fā)光亮度的外延方法 發(fā)明
201410090564.9  一種新型甩干機(jī)過(guò)濾器加熱系統(tǒng) 發(fā)明
201410090546.0  一種改善氮化鎵基發(fā)光二極管的反向漏電的外延生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410090325.3  一種具有循環(huán)結(jié)構(gòu)的P型插入層及生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410090321.5  一種提高GaN基LED靜電耐受能力的外延生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410003103.3  一種LED芯片制造的方法 發(fā)明
201410002107.X 一種避免大尺寸外延裂片的外延生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410001948.9  一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410001887.6  一種提高氮化鎵基發(fā)光二級(jí)管發(fā)光效率的溝道層技術(shù)生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410001858.X 一種具有新型的P型電子阻擋層結(jié)構(gòu)的發(fā)光二級(jí)管的生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201410001845.2  一種提高LED發(fā)光效率的外延生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201320138490.2  一種新型直下式LED背光源 實(shí)用新型
201310311113.9  一種LED芯片清洗提籃 發(fā)明
201310224408.2  改善GaN基外延片內(nèi)波長(zhǎng)集中度的外延結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201310180372.2  一種GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201310099202.1  具有梯形結(jié)構(gòu)的N型插入層的LED外延片及其生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201310008579.1  一種提高LED亮度的多量子阱層生長(zhǎng)方法 發(fā)明
201210513522.2   一種大功率LED燈及其封裝方法 發(fā)明
201210457337.6  一種LED芯片及其制備方法 發(fā)明
201210424140.2  一種提高發(fā)光效率的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明
201210367661.9   一種發(fā)光原件的切割方法 發(fā)明
201210367628.6   一種具有不同切割孔深度的發(fā)光原件切割方法 發(fā)明
201210341597.7  一種含介電層的半導(dǎo)體原件的切割方法 發(fā)明
201210341574.6  具有布拉格反射結(jié)構(gòu)的四元系LED芯片 發(fā)明
201210281517.3  一種用于半導(dǎo)體晶圓減薄工藝的除蠟方法 發(fā)明
201210249443.5  一種含金屬背鍍的半導(dǎo)體原件的切割方法 發(fā)明
201210243438.3  具有階梯式電流阻擋結(jié)構(gòu)的LED芯片及其制作方法 發(fā)明
201120568437.7  一種用于LED封裝的支架結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型
200910051657.X 用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)及其制造方法 發(fā)明
200910021736.6  一種封裝LED的導(dǎo)電銀膠及其制備方法 發(fā)明